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AO3416-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3416

时间:2024/11/22    分类:    阅读次数:12
内容提要

AO3416-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3416

编辑:ll

AO3416-ASEMI中低压N沟道MOSAO3416

型号:AO3416

品牌:ASEMI

封装:SOT-23

批号:最新

漏源电流:6.5A

漏源击穿电压:20V

RDSONMax30mΩ

引脚数量:3

芯片个数:

沟道类型:N沟道MOS管、低压MOS

漏电流:ua

特性:N沟道MOS管、场效应管

工作温度:-55~150

备受欢迎的AO3416 MOS

  ASEMI品牌AO3416是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了AO34016的漏源电流6.5A,漏源击穿电压30V.

•细节体现差距

AO3416,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。

AO3416具体参数为:漏源电流:6.5A,漏源击穿电压:30V,反向恢复时间: ns,封装:SOT-23


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