应用于金属热蒸镀设备 Metal Thermal Evaporation System
热蒸发是物理 气相沉积 PVD 中最常用方法. 使用电加热的蒸发源可用于沉积大多数的有机和无机薄膜, 其中以电阻式加热法最为常见. 这些蒸发源的优点为它们可以提供一种简单的薄膜沉积方法, 以电流通过其容纳材料的舟为方式, 从而加热材料. 当沉积材料的蒸气压超过真空室的温度时, 材料将开始蒸发并沉积到基板上并且在于热蒸发时可以精准的控制蒸发速度, 且薄膜的厚度和均匀度小于 +/- 3％. 上海伯东美国 可用于基板清洁和加速材料的蒸发速度, 并且在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密.
----------- 金属热蒸镀设备 Metal Thermal Evaporation System ----------
KRI RFICP 系列技术参数:
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型号
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Discharge 阳极
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RF 射频
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RF 射频
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RF 射频
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RF 射频
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RF 射频
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离子束流
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>100 mA
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>350 mA
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>600 mA
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>800 mA
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>1500 mA
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离子动能
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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栅极直径
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4 cm Φ
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10 cm Φ
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14 cm Φ
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20 cm Φ
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30 cm Φ
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离子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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3-10 sccm
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5-30 sccm
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5-30 sccm
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10-40 sccm
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15-50 sccm
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通气
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型压力
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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长度
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12.7 cm
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23.5 cm
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24.6 cm
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30 cm
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39 cm
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直径
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13.5 cm
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19.1 cm
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24.6 cm
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41 cm
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59 cm
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中和器
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LFN 2000
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KRI KDC 技术参数:
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型号
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Discharge 阳极
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DC 电流
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DC 电流
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DC 电流
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DC 电流
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DC 电流
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离子束流
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>10 mA
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>100 mA
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>250 mA
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>400 mA
|
>650 mA
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离子动能
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
|
100-1200 V
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栅极直径
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1 cm Φ
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4 cm Φ
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7.5 cm Φ
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12 cm Φ
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16 cm Φ
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离子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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1-5 sccm
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2-10 sccm
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2-15 sccm
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2-20 sccm
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2-30 sccm
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通气
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
|
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典型压力
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
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长度
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11.5 cm
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17.1 cm
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20.1 cm
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23.5 cm
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25.2 cm
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直径
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4 cm
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9 cm
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14 cm
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19.4 cm
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23.2 cm
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中和器
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灯丝
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