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产品参数：
电流：2A 电压：650V~700V
电阻：4Ω 种类：绝缘栅(MOSFET)
沟道类型：N沟道导电方式：增强型
用途：L/功率放大材料：N-FET硅N沟道
开启电压： 650（V）夹断电压：标准（V）
跨导：标准（μS）极间电容：标准（pF）
低频噪声系数：标准（dB） {zd0}漏极电流：标准（mA）
{zd0}耗散功率：标准（mW） {zd0}结温：150 ℃
常有封装：TO-92 TO-251，TO-252

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