合成方法:水平法(HB)
用 途:可用于发光二极管(LED)、激光二极管(LD)以及太阳能
电池 等领域砷化镓单晶的生产。
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砷化镓多晶料性能指标 |
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原料纯度 |
6N 及以上 |
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导电类型 |
N 型 |
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迁移率(cm2/V•s) |
2500~3500 |
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载流子浓度(cm-3) |
1.0×1016~1.0×1017 |
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产品外观 |
D 字形 |
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尺寸 |
约 60mm 宽× 45mm 高× 330mm 长 |
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