三硒化二铟（In2Se3）（可作技术对接）
核心技术：CVD 化学气相沉积。（自制冷却装置防止硒蒸汽压过大而产生炸裂），该产品用于喷涂或者印刷工艺制备CIGS薄膜，亦可取代有毒的N 型硫化镉。
1，物理性质：
原子量：193.508
变形的NaCl结构，黑色，暗淡油脂光泽，易碎。
熔点：660℃
密度：5.55 g／cm³
2，规格：
化学纯度：
高纯硒化铟：InSe-05纯度99.999％以上，银，铝，镉，铜，铁，镁，镍，铝杂质总含量小于10ppm.
3，物理性状：质软黑色块或粉。
4，用途：主要用作半导体，光导材料，光，电传感器件，硫化镉CDS的替代材料。
5，包装：聚乙烯瓶封装。
