8N60C为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源, DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
产品特点:
8A,600V,RDS(on)(典型值)0.8Ω
低电荷、低反向传输电容
开关速度快
漏极—漏极电压(VDS):600V
漏极电流(ID):8A
栅源电压(VGS):±30V
耗散功率(PD):52W
结温(TJ):150℃
储存温度(Tstg):-55~150℃
详细参数:请参照产品规格书
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