德国Sglux 紫外光电二极管 SG01D-5LENS
基于SiC的紫外光电二极管Avirtual = 11.0 mm2，带聚光镜
◆ 一般特性
SG01D-5LENS紫外光电二极管的特性
● 宽频UVA+UVB+UVC, PTB报道的芯片高稳定性，用于火焰检测
● 辐射敏感面积 A = 11.0 mm2
● TO5密封金属外壳和聚光镜，1绝缘引脚和1接地引脚
● 10μW/cm2 峰值辐射约产生350 nA电流
关于材料碳化硅 (SiC)
SiC 具有独特的特性，能承受高强度的辐射，对可见光几乎不敏感，产生的暗电流低，响应速度快和噪音低。这些特性使SiC成为可见盲区半导体紫外探测器的{zj0}使用材料。SiC探测器可以一直工作于高达 170℃ (338℉)的温度中。信号（响应率）的温度系数也很低，<0.1%/K。 由于噪音低(fA级的暗电流), 能够有效地检测到极低的紫外辐射强度。
选项
SiC光电二极管有七个不同的有效敏感面积可供选择，从0.06 mm2 到36 mm2 。标准版本是宽频UVA-UVB-UVC。四个滤波版本导致更严格的感光范围。所有光电二极管都有密封的金属外壳（TO型），直径为5.5mm的TO18外壳或9.2mm 的TO5外壳。进一步的选项是2只引脚（1绝缘，1接地）或3只引脚（2绝缘，1接地）。
◆ 规格参数
光谱特性
峰值波长处的典型响应度：0.130 A/W
{zd0}光谱响应度的波长：280 nm
响应波长范围 (S=0.1*S max )：221 ~ 358 nm
可见盲区 (S max /S >405nm )：> 10 10
一般特性 (T=25℃)
感光面积：11.0 mm2
暗电流 (1V反向偏压)：1.7 fA
电容：125 pF
短路 (10μW/cm 2 峰值)：350 nA
温度系数：< 0.1 %/K
{zd0}额定值
工作温度：–55 ~ +170 ℃
储存温度：–55 ~ +170 ℃
焊接温度 (3s)：260 ℃
反向电压：20 V
