Lyontek存储器 内存芯片 LY62W51316

Lyontek存储器  内存芯片  LY62W51316

       SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，功耗较小，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。

 主要有：

1. 存储容量： 存储单元个数M×每单元位数N

2. 存取时间：从启动读(写)操作到操作完成的时间

3. 存取周期：两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间

4. 平均故障间隔时间MTBF（可靠性）

5. 功耗：动态功耗、静态功耗

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