产品特色
JEDEC标准1.2V（1.26V?1.14V）电源
JEDEC标准260针双列直插式内存模块
8位预取
在与ODT引脚的终止
双向差分数据选通
平均刷新周期为7.8us，低于TCASE 85°C，在85°C时为3.9us <TCASE≤95°C
30μ“金手指
符合RoHS标准
产品介绍：
Innodisk宽温DRAM模块专为工业系统而设计，非常适合在极端温度下工作的应用。这些模块使用30μ“金手指”的工业级SDRAM组件，以确保内存保持其高品质的信号，即使在-40oC或高达85oC的温度下。
规格：
系列
无缓冲宽温
模块类型
DDR4 SODIMM
接口
DDR4
构成因素
SODIMM
数据速率
2133吨/秒，2400吨/秒，2666吨/秒
容量
4GB，8GB，16GB
功能
非ECC无缓冲内存
针号
260pin
宽度
64位
电压
1.2V
PCB高度
1.18英寸
操作温度
-40°C?+ 85°C
金手指30μ“
?
增值服务（可选）
保形涂层，侧面填充
产品料号：
类型和速度
类型和速度
密度
高度
Innodisk Memory P / N
