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1. 它的应非常广泛，去封装的芯片，未去封装的芯片，容，FPC,甚小尺寸的路板（PCB、PCBA）,这也就让你可以在样品的不同阶段都可以使thermal术进，如下图示例，样品路板漏定位到某QFN封装器件漏，将该器件拆下后现漏善，该器件焊引线来，未封定位为某引脚，封后针再做，进一步确认为晶圆某引线位置漏导致，如有需要可接着做SEM,FIB等。

未封器件

封器件

2. 它能测的半导体缺陷也非常广泛，微安级漏，低阻抗短路，ES击伤，闩效应点，属层部短路等等，而容的漏和短路点定位，FPC,PCB,PCBA的漏，微短路等也能够xx定位

lock-in相

封芯片漏

GAN-SIC器件

3，它是无损：为日常的失效，往往样品量稀少，这就要求失效术{zh0}是无损的，而于某些例如陶瓷容和FPC的缺陷，虽然测能测存在缺陷，但是具体缺陷位置，市的无损如XRAY或超声波，却很难进定位，只能通过样品进破坏性切片，且只能随机挑选位置，而通过Thermal 术，你需要的只是给样品，就可以述两种缺陷进定位

FPC缺陷

容缺陷

4,相热成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：相术，将温度分辨率高到0.001℃，5um分辨率镜头，可以测uA级漏流和微短路缺陷，远由于传统热成像及液晶热点测法（0.1℃分辨率，mA级漏流热点）

5，系统能够测量芯片等微观器件的温度分布，了一种速测热点和热梯度的有效手段，热分布不仅能显示缺陷的位置，在半导体领域

在集成路操期间，内部结加热导致接处的热量集中。器件中的峰值温度处于接处本身，并且热从接部向外传导到封装中。因此，器件操期间的xx结温测量是热表征的组成部分。

芯片附着缺陷可能是由于诸如不充分或污染的芯片附着材料，分层或空隙等原因引起的。Sentris热工具（如 图像序列）可于评估样品由内到外的热量传递过程，以便确定管芯接的完整性。

OPTOTHERM Sentris 热射显微镜系统为一台专为缺陷定位的系统，专为子产品FA设计，通过特别的LOCK-IN术，使LWIR镜头，仍能将将温度分辨率升到0.001℃（1mK），同时光学分辨率{zg}达到5um,尤其其系统经过多年的优化，具有非常易和实，以下是OPTOTHERM Sentris 热射显微镜系统过程的说明视频

LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited ‘and ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)为Optotherm公司中国表（独理），在深圳设立optotherm红外热应实验室，负责该设备的演示和售，如有相关应，可免费评估测试。

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国外的显微热成像系统大都于冷型焦平面测器，其价格昂贵、体积大、重量大，从而影响了其在国内应的普及。非冷焦平面测器具有较高的性能价格比、无需冷等诸多优点，因此我国近年来始相继展非冷型显微热成像系统的研究。但由于非冷测器阵列数目有限及测元尺寸的限，空间采样频率无法满采样定理，图像空间分辨力低，混频现象比较严重，而显微热成像系统属于放大模式，很多时候被观测的象较小，细节多，因此急需高系统的空间分辨力以满细微热领域的需求。而微扫描术可在不增加测器像素规模和减小测元尺寸条件下，增加成像系统的空间采样频率，减少图像的频率混淆效应，减小测器元空间积分的影响，最终可以有效高光成像系统的分辨力，且系统成本较低，xxx高[四-2]。因此，研究将微扫描术引入到显微热成像系统中以高系统空间分辨力具有重要意义和实价值。然而目前关于显微热成像系统的理论研究甚少，而光学微扫描术应到显微热成像系统中的报道更是寥寥无几。因此今后需大力展于微扫描的非冷显微热成像的研究，主要研究问题如下：
（1）以往热成像系统的性能参数一般是衡量望远模式热成像系统的，不再适于显微热成像系统。因此需要针显微热成像系统建立这些参数的数学模型，给高系统性能的具体方，为系统优化设计理论础。而国内外关于显微热成像系统理论的报道甚少，尤其是系统性能参数的理论体系尚未建立。
（2）微扫描系统的微位移精度是微扫描系统重要的性能指标，也是影响整个显微热成像系统性能的重要因素，但微位移误差的数学模型尚未建立，而这是系统进优化设计的关键。
（3）系统优化设计后，仍不可避免的存在误差，这就需要于微扫描原理，进一步研究计算量小、实时性好的高分辨力过采样及超分辨力图像处理算法。
（4）进一步完善光学微扫描高分辨力显微热成像系统，集成系统的各个部分，并尝试将该系统造以满不同领域的需求，加强成果的产品化工。
而这些问题不仅是显微热成像系统更是其他光学微扫描高分辨力光成像系统所涉及的深层次问题和普遍性问题，需要亟待解决。
随着科学术的展，高精度的红外显微热成像系统在微区域热物理和化学问题讨、微物测、MEMS优化设计等础学科领域也将起到非常重要的推进，越来越多的领域需要显微