上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100

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    射频离子源 RFICP 100

    KRI  RFICP 100
    上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以达到 400 mA.
    KRI  RFICP 100 技术参数
     

    阳极

    电感耦合等离子体
    射频自动匹配

    阳极功率

    600W

    离子束流

    > 300mA

    电压范围

    100-1200V

    离子束动能

    100-1200eV

    气体

    Ar, O2, N2,其他

    流量

    5-20 sccm

    压力

    < 0.5mTorr

    离子光学, 自对准

    OptiBeamTM

    离子束栅极

    10cm Φ

    栅极材质

    钼, 石墨

    离子束流形状

    平行,聚焦,散射

    中和器

    LFN 2000

    高度

    23.5 cm

    直径

    19.1 cm

    锁紧安装法兰

    10”CF

     

    KRI  RFICP 100 应用领域
    预清洗
    表面改性
    辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,
    溅镀和蒸发镀膜 PC
    离子溅射沉积和多层结构 IBSD
    离子蚀刻 IBE
    客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置如下



    射频离子源
    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产, 和. 美国历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国中国总代理.

    若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

    上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
    T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
    F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
    M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
                        

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