NP35N04QR-G PDFN3x3-8L 40V耐压N沟道增强型场效应管MOS管原装

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    深圳市芯庆电子有限公司

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    Description
          The  NP35N04QR  uses Trench  technology that  is
    uniquely  optimized  to  provide the most efficient high
    frequency switching performance. Both conduction and
    switching   power   losses   are   minimized  due  to  an
    extremely  low  combination  of  RDS(ON) and  Qg. This
    device   is   ideal   for   high-frequency   switching   and
    synchronous  rectification.

    General  Features
    VDS=40V,ID=35A
    RDS(ON)=7.9mΩ (typical)    @VGS=10V
    RDS(ON)=10.2mΩ (typical)    @VGS=4.5V
    Excellent  gate  charge  x  RDS(ON)  product(FOM)
    Very  low  on-resistance  RDS(ON)
    150℃  operating  temperature
    Pb-free  lead  plating
    100% UIS  tested

    Application
    DC/DC  Converter
    ldeal  for  high-frequency  switching  and  synchronous  rectification

    Package
    PDFN3X3-8L




    郑重声明:产品 【NP35N04QR-G PDFN3x3-8L 40V耐压N沟道增强型场效应管MOS管原装】由 深圳市芯庆电子有限公司 发布,版权归原作者及其所在单位,其原创性以及文中陈述文字和内容未经(企业库qiyeku.cn)证实,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。若本文有侵犯到您的版权, 请你提供相关证明及申请并与我们联系(qiyeku # qq.com)或【在线投诉】,我们审核后将会尽快处理。
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