NP55N04D6-G PDFN5*6-8L-A 40V耐压N沟道增强型场效应管MOS管原装

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    Description
          The  NP55N04D6  uses  Trench  technology  that  is
    uniquely  optimized  to  provide  the  most  efficient  high
    frequency   switching   performance .  Both   conduction
    and  switching  power  losses  are  minimized  due  to  an
    extremely  low  combination  of  RDS(ON)  and  Qg. This
    device   is   ideal   for   high-frequency   switching   and
    synchronous  rectification.

    General  Features
    VDS=40V,ID=55A
    RDS(ON)(Typ.)=8mΩ    @VGS=10V
    RDS(ON)(Typ.)=11mΩ     @VGS=4.5V
    Very  low  on-resistance  RDS(ON)
    150℃  operating  temperature
    100%  UIS  tested

    Application
    Synchronous  Rectification  in  DC/DC  and  AC/DC  Converters
    Industrial  and  Motor  Drive  applications




     

    郑重声明:产品 【NP55N04D6-G PDFN5*6-8L-A 40V耐压N沟道增强型场效应管MOS管原装】由 深圳市芯庆电子有限公司 发布,版权归原作者及其所在单位,其原创性以及文中陈述文字和内容未经(企业库qiyeku.cn)证实,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。若本文有侵犯到您的版权, 请你提供相关证明及申请并与我们联系(qiyeku # qq.com)或【在线投诉】,我们审核后将会尽快处理。
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