NP55N04D6-G PDFN5*6-8L-A 40V耐压N沟道增强型场效应管MOS管原装

    面议

    深圳市晶立弘泰电子科技有限公司

    进入店铺
    商品目录
    图文详情
    Description
          The  NP55N04D6  uses  Trench   technology  that  is
    uniquely  optimized  to  provide  the  most  efficient  high
    frequency    switching    performance.   Both   conduction
    and  switching  power  losses  are  minimized  due  to  an
    extremely  low  combination  of  RDS(ON)  and  Qg.  This
    device   is   ideal   for    high-frequency    switching   and
    synchronous  rectification.

    General  Features
    VDS=40V,ID=55A
    RDS(ON)(Typ.)=8mΩ     @VGS=10V
    RDS(ON)(Typ.)=11mΩ     @VGS=4.5V
    Very  low  on-resistance  RDS(ON)
    150℃  operating  temperature
    100%  UIS  tested

    Application
    Synchronous  Rectification  in  DC/DC  and  AC/DC  Converters
    Industrial  and  Motor  Drive  applications





    郑重声明:产品 【NP55N04D6-G PDFN5*6-8L-A 40V耐压N沟道增强型场效应管MOS管原装】由 深圳市晶立弘泰电子科技有限公司 发布,版权归原作者及其所在单位,其原创性以及文中陈述文字和内容未经(企业库qiyeku.cn)证实,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。若本文有侵犯到您的版权, 请你提供相关证明及申请并与我们联系(qiyeku # qq.com)或【在线投诉】,我们审核后将会尽快处理。
    留言预约
    电话预约
    留言
    *主题
    *手机
    *联系人