IGBT等新型功率器件的全参数自动测试是当前世界半导体测试领域的关键技术之一,目前国际上仅有几家专业设备厂家可以生产,进口测试系统的高额售价和售后服务不能保证,让国内不断扩大的生产和应用业望而却步, 成为国内新型功率半导体发展的瓶径. 2007年11月国家发改委和科技部就”电力电子专题项目”专门下拨500万元创新基金支持西安电力电子技术研究所开发该类测试系统.目前我公司提供的该项新产品采用模块式功放结构, 主极电流可400A/500A/1000A/1250A选项, 2500A/5000A选项可以根据用户需要定制该产品可测IGBT参数包括ICES, BVCES, IGESF, IGESR, VGETH, VGEON, VCESAT, ICON,VF, GFS, rCE等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度, 达到目前国外进口同类产品{lx1}水平.该产品可针对目前封装的多单元IGBT特征, 根据用户需要提供4/ 8/ 20单元扫描测试适配器, 从而实现多单元封装器件的一次性全参数测试.与进口专用测试系统相比, 该产品可同时对各种功率的其它10-18多类半导体分立器件进行全参数测试, 具有更高的使用效率.与国外同类产品相比, 该产品具有更高的性能价格比和国外厂家不能做到的优质售后服务保证.
