以下为安森美-FGH30N60LSDTU-晶体管详细参数信息，安森美-FGH30N60LSDTU-晶体管图片由深圳市优特美尔电子有限公司提供，安森美-FGH30N60LSDTU-晶体管
FGH30N60LSDTU的描述 FGH30N60LSDTU是一款采用安森美半导体平面技术的IGBT。 FGH30N60LSDTU的特点 低饱和电压。VCE(sat) =1.1V @ IC = 30A 高输入阻抗 低导通损耗 FGH30N60LSDTU的应用 能源生产和分配