GBL806/GBL808/GBL810_氮化镓快充整流桥-L

型号：GBL810

品牌：ASEMI

封装：GBL-4

特性：内置GPP芯片

正向电流：6A

反向耐压：50V-1000V

芯片个数：4

漏电流：>10ua

工作温度：-50℃~150℃

包装方式：500/盒;5K/箱

适用于：电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用

ASEMI品牌GBL606，系列产品GBL608、GBL610，供应GBL604，波峰GPP芯片，可靠稳定性高，产品离散性高度一致。 本产品原装xx，质量保证高稳定性和可靠性，欢迎咨询 取样测试。

相比传统充电器，它有哪些优势？

充电效率高。氮化镓的带隙比硅高得多，这意味着它可以随时间传导更高的电压。带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片，从而可以更快地进行处理，充电更快。

散热快。氮化镓与前两代的半导体相比，禁带宽度大、导热系数更高。而且可在200以上的高温下工作，能承载更高的能量密度，可靠性高，能够将过度充电的可能性最小化。