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7N80-ASEMI低功耗场效应管7A 800V

型号：7N80

品牌：ASEMI

封装：TO-220

电流：7A

电压：800V

恢复时间：

正向电压：

引脚数量：3

芯片个数：1

芯片尺寸：

漏电流：10uA

特性：低功耗场效应管

工作温度：-55~+150℃

MOS场效应管

即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。