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ASE35P03-ASEMI替换CJAB35P03平替长电、长晶

型号：ASE35P03

品牌：ASEMI

封装：TO-252

正向电流：35A

反向耐压：30V

浪涌电流：

引脚数量：3

芯片个数：

芯片尺寸：

漏电流：

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：mos管、场效应管

工作温度：-55℃~+150℃

ASE35P03场效应管

ASE35P03的电性参数：正向平均电流35A；反向峰值电压30V

场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（P沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。

场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。