10N60-ASEMI高压MOS管10N60
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10N60-ASEMI高压MOS管10N60
型号：10N60
品牌：ASEMI
封装：TO-22AB
漏源电流：10A
漏源击穿电压：600V
RDS（ON）Max：0.85Ω
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：N沟道MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~150℃
备受欢迎的10N60 MOS管
ASEMI品牌10N60是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了10N60的漏源电流10A，漏源击穿电压600V.
•细节体现差距
10N60,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
10N60具体参数为：漏源电流：10A，漏源击穿电压：600V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220AB
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