25小时在线 15889737035 可微可电 回收pixelplus派视尔芯片、回收sunplus凌阳芯片、回收nextchip芯片、回收soinc晶相芯片、回收richtek立锜芯片、回收simcon芯讯通芯片、回收jorjin佐臻芯片、回收generalplus凌通芯片、回收dialog戴乐格芯片、回收nordic芯片、回收nxp恩智浦芯片、回收bosch博世芯片、回收st意法芯片、回收infineon英飞凌芯片、回收jrc芯片、回收sony索尼芯片、回收toshiba东芝芯片等在一些非挥发性存储器如相变存储器（phase-change memory；pcm）、磁阻存储器（ resistive memory；m-ram）、电阻存储器（resistive memory；rram）等技术已蓄势待发、即将迈向商业量产门槛之际，ddr4将可能是末代的ddr存储器，届时电脑与软体结构将会出现 为剧烈的变动。  nand flash逼近制程物理以提升容量密度  以浮闸式（floating gate）半导体电路所设计的nand flash非挥发性存储器，随着flash制程技术不断进化、单位容量成本不断下降的情况下，已经在智慧手机、嵌入式装置与工控应用上大量普及。  L78M05CDT-TR LF33ABDT-TR SM2T3V3A STBP120AVDK6F LF33CDT-TR DA112S1RL HSP061-4M10 M95160-WMN6TP VN7050AJTR LSM6DS3TR STLM20DD9F LM317D2T-TR STL8N6F7 ESDA6V1SC6 M24LR04E-RMN6T/2 LF120CDT-TR M24LR04E-RDW6T/2 ST1S32PUR VN7016AJTR STM6510SCACDG6F LM135 MUN5211T1G M24C02-FDW6TP TS3431ILT FDV303 STX616-AP ESDA14V2L ULN2003D1013TR ST25DV04K-IER6T3 LM393PT HSP061-2M6 STM809TWX6F STM809SWX6F STPS140A LD2981ABM50TR LF347DT LMV822IDT STD7NM80 SM6T200A MC33078DT LM335DT LF253DT