黄石回收ETA钰泰科技BGA芯片
25小时在线 15889737035 可微可电 6:电容的识别(1)、贴片电容有:贴片钽电容、贴片瓷片容、 纸多层贴片电容、贴片电解电容。贴片瓷片电容:体积小,无 性,无丝印。基本单位pf纸多层贴片电容:与贴片瓷片电容基本相同,材质纸质。基本单位 为pf,但此电容容量一般在uf级。
贴片电解电容:丝印印有容量、耐压和 性标示。其基本单位为f。
7:电感元件的识别常见贴片元件尺寸规范介绍
在贴片元件的尺寸上为了让所有厂家生产的元件之间有 的通用性,上各大厂家进行了尺寸要求的规范工作,形成了相应的尺寸系列。其中在不同采用不同的单位基准主要有公制和英制,对应关系如下表:
注:1)此处的0201表0.02x0.01inch,其他相同;
2)在材料中还有其它尺寸规格例如:0202 、0303、0504、1808、1812、2211、2220等等,但是在实际使用中使用范围并不广泛所以不做介绍。
3)对于实际应用中各种对尺寸的称呼有所不同,一般情况下使用英制单位称呼为多,例如一般我们在工作中会说用的是0603的电容,也有时使用公制单位例如说用1608的电容此时使用的就是公制单位 。
5micron自家市场统计预测指出,从2012到2016年总体nand flash容量应用的年复合成长率可达51 。2013年,美光(micron)与sk hynix两家晶圆厂,先后发表16nm制程的nand flash存储器技术,而东芝(toshiba)则在2014年直接跨入15nm制程,并推出相关nand flash存储器芯片产品。  nand flash传输速率,从2010年onfi 2.0的133mb/s,emmc v4.41的104mb/s;到2011年onfi v2.2/toggle 1.0规格,传输速率提升到200mb/s,emmc v4.5拉高到200mb/s,ufs 1.0传输速率为2.9gbps;2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s,ufs v2.0传输速率倍增为5.8gbps;预估到2015年,onfi v4.x/toggle v2.xx规格定义的传输速率增到800mb/s、1.6gb/s。  ULN2004D1013TR M95M01-RMN6TP LMV358IDT LM2903PT LM217MDT-TR LD3985M33R LD1086D2M33TR BAR43SFILM TDA7377 STM32F051K8T6TR STM32F103ZET6 STM32L100R8T6ATR STM32F437ZIT7 STM32F446VET6TR STM32F446ZCT6 STM32F446ZET6 STM32F722IEK6 STM32F723IET6 STM32F7308-DK STM32F745VGH6 STM32F745ZGT6 STM32F746IGT6
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