90N10-ASEMI高压MOS管90N10
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90N10-ASEMI高压MOS管90N10
型号：90N10
品牌：ASEMI
封装：TO-220AB
漏源电流：90A
漏源击穿电压：100V
RDS（ON）Max：0.08Ω
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：N沟道MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~150℃
备受欢迎的90N10 MOS管
ASEMI品牌90N10是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了90N10的漏源电流90A，漏源击穿电压100V.
•细节体现差距
90N10,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
90N10具体参数为：漏源电流：25A，漏源击穿电压：100V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220AB
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