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采用flash介质时一个需要 考虑的问题是性。对于需要扩展mtbf的系统来说,flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的性。
性
在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次,而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势,典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍,每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要i/o接口,nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。
在使用nand器件时, 先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向nand器件写入需要相当的技巧,,这就意味着在nand器件上自始至终都 进行虚拟映射。
其他作用
驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

 

一种称为静态ram（static ram/sram），sram速度非常快，是目前读写快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如cpu的缓冲，二级缓冲。另一种称为动态ram（dynamic ram/dram），dram保留数据的时间很短，速度也比sram慢，不过它还是比的rom都要快，但从价格上来说dram相比sram要便宜很多，计算机内存就是dram的。 dram dram分为很多种，常见的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等，这里介绍其中的一种ddr ram。 ddr ram（date-rate ram）也称作ddr sdram，这种改进型的ram和sdram是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得多的内存，而且它有着成本势，事实上击败了intel的另外一种内存标准－rambus dram。在很多的显卡上，也配备了高速ddr ram来提高带宽，这可以大幅度提高3d加速卡的像素渲染能力。 2、romLM4120AIM5X-3.3 PTVS11VS1UR IP4292CZ10 LM4050AEM3-2.5 LM4121IM5-1.2 PMBT6428 NX3020NAKT LM4040DIM3-2.5 BQ24090DGQR VIPER22A TLV431BQDBZR TPS62200DBVR MAX6006BEUR+T MIC4684YM TPS3705-33DGNR TPS2051CDBVR TPS76330DBVR TPS73033DBVR TL431BIDBZR TLV62565DBVR NCP3218GMNR2G LM4040CIM3-5.0 TL431AIDBVR TLV431ACDBVR TLV431ACDBZR LM809M3-2.93