25小时在线 15889737035 可微可电

采用flash介质时一个需要 考虑的问题是性。对于需要扩展mtbf的系统来说,flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的性。
性
在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次,而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势,典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍,每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要i/o接口,nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。
在使用nand器件时, 先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向nand器件写入需要相当的技巧,,这就意味着在nand器件上自始至终都 进行虚拟映射。
其他作用
驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

 

2020年，营收创下历史新高、v- 利润创下历史新高、研发投入/资本开支创下历史新高的半导体双雄，台积电和联发科，在资本市场也是。昨日，台积电股价冲上540新台币，市值14万亿新台币，创下历史新高；联发科股价达到790新台币，市值达到1.25万亿，也创下历史新高。台积电2021年的制程产能依旧，虽然因美国失去了海思半导体这个大客户，但其他芯片依然。甚至一向“”的英特尔，也可能将5nm订单委托为台积电代工。台积电预计2021年资本开支将至200亿美元。联发科2020年营收突破100亿美元大关， 三季度手机芯片市场份额一次超过高通，以31 XTR115UA XTR116UA ISO124U OPA322AIDBVR TCA9555RTWR TRS3253EIRSMR INA240A1PWR INA240A2PWR ADS1112IDGSR ADS7953SRHBR DAC7611U TS3A27518ERTWR INA282AIDR DRV8832DGQR TL4242DRJR UC3710T UCC27712DR UCC27524ADR TRF7962ARHBR TRF7970ARHBR TRF7964ARHBR TPS54478RTER TPS74901RGWR OPA4197IDR INA821IDR