25小时在线 15889737035 可微可电 美国英特尔公司和艾亚实验室将teraphy硅基光学输入/输出芯粒集成到现场可编程门阵列中，将光信号传输元件封装至芯片内部，标志着封装内光互连技术取得突破性进展。集成方案是：将teraphy芯粒与现场可编程门阵列“接口数据总线”接口的24个通道相连接，利用“嵌入式多芯片互连桥接”技术将二者封装在一起，构建封装内集成光学元件的多芯片模块。与电互连相比，光互连带宽密度提高1000倍，功耗降低至1/10。该技术有望实现100太比特/秒的数据传输速率，大幅提升封装内芯片间的数据传输能力，满足装备大数据处理需求。
二、darpa三维系统芯片进入产业化阶段
2020年8月，darpa三维系统芯片开始从实验室成果转向产业化。产业化阶段，darpa将在天水公司200毫米晶圆碳基芯片生产线上，应用碳 管晶体管三维系统芯片制造工艺， 改进芯片品质，提升芯片良率，化芯片性能，提高逻辑功能密度。三维系统芯片集逻辑运算、数据存储功能于一身，可实现高带宽数据传输，提高计算性能，降低运行功耗，将大幅加速人工智能算法和计算，对美国巩固势意义重大。
三、美国开发出高灵敏芯片级激光陀螺仪
2020年3月，美国加州理工学院研发出高灵敏度芯片级激光陀螺仪，灵敏度比其他芯片级陀螺仪高数十至上百倍。该陀螺仪碟形布里渊谐振腔由---q值超过1亿的硅基二氧化硅制成，自由光谱谐振值1.808吉赫。测试表明，芯片级激光陀螺仪具有高灵敏、高集成性、高鲁棒性、强抗冲击性等特点，在微型、可穿戴设备及其他---平台上具有广阔应用前景。
四、美国开发出基于忆阻器阵列的三维计算电路
2020年5月，美空军研究实验室与马萨诸塞大---合研发出一种三维计算电路。其由八层忆阻器阵列构成，采用了新的电路架构设计，可直接实现 神经网络功能。八层忆阻器阵列由若干个彼此物理隔离的忆阻器行组构成，每个行组包含八层忆阻器，层与层呈阶梯式交错堆叠搭接，每个忆阻器仅与相邻少量忆阻器共用电 ，减少了相关干扰，大幅 了“潜在通路”效应，有利于实现大规模忆阻器阵列集成。该三维计算电路计算速度和能效大幅提升，为人工神经网络等计算技术，以及神经形态硬件设计提供了新的技术途径。
高功率应用兴起带来的挑战们 满足工业动力驱动或电动汽车不断增长的功率需求。伺服电动机或洗衣机中的工业电机驱动器已经开始普及。处理功率超过3千瓦的通用逆变器（gpi）越来越普遍。而且，电动汽车开始采用高压电池（从400伏到800伏，甚至更高），从而为hvac使用新的功率拓扑打通了基础。 传统上，会利用一个智能功率模块，该模块主要将igbt和二 管与下桥和上桥栅 驱动器结合在一起。这样的集成器件简化了pcb布局，占用了更少的空间，提高了性，提高了效率，并缩短了上市时间。然而，当今市场上几乎没有针对在新型高压电池上运行的ipm产品。同样，只有少数ipm应用于中高功率工业平台。因此，例如用于hvac或伺服电动机的压缩机的ipm将是复杂且昂贵的。 SGM2036-3.3YN5G/TR SY6874DBC SY6288AAAC SY6282ACC SY6280AAAC SM8103ADC SY7065AQMC SYR827PKC SY8401ABC SY6702DFC SY7203DBC SY58873UFAC MP2340GJ-Z MP2480DN-LF-Z MP3202DJ-LF-Z MP4012DS-LF-Z MP6513GJ-Z SY8035DBC MP1475DJ-LF-Z MP1495SGJ-Z MP1655GG-Z MP1658GTF-Z MP172GJ-Z MP2233DJ-LF-Z MP2488DN-LF-Z MP1591DN-LF-Z MP2149GJ-Z MP2229GQ-Z MP2560DN-LF-Z MP3120DJ-LF-Z MP3423GG-Z MP3426DL-LF-Z MP6211DN-LF-Z SY6281AAC MA730GQ-Z