25小时在线 15889737035 可微可电 经营范围为集成电路的设计、研发，软件的研发、制作，销售自产产品，并提供相关服务，上述同类产品的批发代理（拍卖除外）。
灿芯半导体介绍称，该公司是一家定制化芯片（asic）设计方案提供商及ip供应商，定位于55nm/40nm/28nm/14nm以下的系统级芯片（soc）设计服务与一站式交钥匙（turn-key）服务。灿芯半导体为客户提供从rtl设计到芯片成品的一站式服务，并致力于为客户的复杂asic设计提供一个低成本、低风险的整体解决方案。
2010年，灿芯半导体于和中芯集成电路制造有限公司结盟成，基于中芯工艺研发了公司自主品牌的“you”系列ip和硅平台解决方案，经过完整的流片测试验证，可广泛应用于消费类电子、物联网、可穿戴设备、通讯、计算机及工业、市政领域。
2020年8月，灿芯半导体完成3.5亿d轮，由海通旗下和临芯投资领投，元禾璞华投资基金、小米产业基金、火山石资本、泰达投资、金浦投资及多家原股东跟投。本轮资金将用于进一步推动公司在中芯工艺上的asic一站式设计方案及soc平台技术和产品的研发。
“灿芯半导体是中芯参与投资的芯片，长期以来双方一直合作，提供灵活的芯片解决方案和服务，满足了客户需求，完成了众多合作项目，” 中芯联合 执行官兼灿芯半导体董事长赵博士说，“今后双方将继续携手合作，努力。此次成功，再次证明了灿芯的成长潜力，我对灿芯的未来发展充满信心。”
“此次成功，公司不仅获得了持续研发的资金，更重要的是再次证明了资本市场对于灿芯半导体长期稳健发展的和信心，”灿芯半导体总裁说，“未来公司将进一步加大研度和投入，以满足对中芯工艺上的设计需求
ddr4较以往不同的是改采vddq的终端电阻设计，v- 目前计划中的传输速率进展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133传输速率快了50 ，将来不排除直达4，266mbps；bank数也大幅增加到16个（x4/x8）或8个（x16/32），这使得采x8设计的单一ddr4存储器模组，容量就可达到16gb容量。  而ddr4运作电压仅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v还低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v还要低，再加上ddr4一次支援 省电技术（deep power down），进入休眠模式时无须更新存储器，或仅直接更新dimm上的单一存储器颗粒，减少35 ~50 的待机功耗。  TLV803SDBZR TPS3808G01DBVR TPS563201DDCR TLV70233DBVR TLV70233DBVR MP24894GJ-Z OPA333AIDCKR INA199A3DCKR LM2904VQDRQ1 LM258ADR LM224ADR TLV3011AIDCKT TS27M4CDT NCV20072DR2G TPS79625DCQR TPS79601DCQR REG1117A-2.5 UPC24M06AHF-AZ ADP3339AKCZ-3-RL7 LM2937IMPX-12/NOPB TPS64203DBVT TL1963A-18DCQR INA2180A1IDGKR TLV62569PDDCR TPS2546RTER ACFM-2113-TR1 TPS79901QDRVRQ1 MP1601CGTF-Z MP1658GTF-Z MP1662GTF-Z TCA9535RTWR TXS0108ERGYR BQ25619RTWR DRV8835DSSR TPS54335ADDAR