25小时在线 15889737035 可微可电

采用flash介质时一个需要 考虑的问题是性。对于需要扩展mtbf的系统来说,flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的性。
性
在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次,而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势,典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍,每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要i/o接口,nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。
在使用nand器件时, 先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向nand器件写入需要相当的技巧,,这就意味着在nand器件上自始至终都 进行虚拟映射。
其他作用
驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

 

 英特尔将分别把ddr4规格导入伺服器／工作站平台，以及桌上型电脑平台（high-end desktop；hedt）。前者是伺服器处理器xeon e5-2600处理器（代号haswell-ep），搭配的ddr4存储器为2，133mbps（ddr4-2133）；后者则是预定 三季推出的8intel core i7 extreme edition处理器，同样搭配ddr4-2133存储器，以及支援14组usb 3.0、10组sata6gbps的x99芯片组，成为2014 4季至2015年上半年英特尔的桌上型电脑平台组合。  而超微（amd）下一代apu（代号carrizo）已至2015年登场，但其存储器支援性仍停留在ddr3。至于移动设备部份，安谋（arm）针对伺服器市场打造的64位元cortex-a57处理器，已预留对ddr4存储器支援，而 三方ip供应商也提供了相关的ddr4 phy ip。  三星于2013年底量产20 制程的4gb存储器颗粒，将32gb的存储器推向伺服器市场；2014年1月推出移动设备用的低功耗ddr4（lp-ddr4）。sk海力士在2014年4月借助矽钻孔（tsv）技术，开发出单一ddr4芯片外观、容量达128gb。市场预料ddr4将与ddr3（ddr3l、lp-ddr3）等共存一段时间，预计到2016年才会ddr3而成为市场主流。 TCAN1042HVDR TLE7230R STM32G070CBT6 R5S72643P144FP#UZ WM8772SEDS/RV AK4113VF SM5907AF UPD7225GB-3B7 UPD9281 UPD16316 TDF8541TH/N2 MC74ACT244DTR2G MCP121T-450E/TT MCP1416T-E/OT MCP14E5-E/SN MCP1665T-E/MRA MCP1711T-22I/OT MCP3208-BI/SL MCP3208T-BI/SL SSM3J331R SSM3J334R SSM3K15AFS,LF(T SSM3K324R,LF(T