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东芝（toshiba）以2009年开发的bics—3d nand flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路，东芝与新帝（sandisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年q3完工，q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光（micron）、英特尔（intel）阵营，也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ，计划于2014年q2送样测试，快于年底量产。  由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。  GD32F103VCT6 GD32F303CCT6 GD32F303VCT6 GD32F305VCT6 PCI9056-BA66BIG QCPL-7847-500E QCPL-WB3N-560E ACHS-7122-500E ACPL-C790-500E ACPL-P480-500E HCPL-0601-500E TLC272IDR TMS320F28062PNT TPS7A7200QRGWREP TPS79850QDGNRQ1 TPS79801QDGNRQ1 LMH6645MFX/NOPB TMS320LF2406APZA IS42S32200L-6TLI IS25LP128F-JBLE-TR IS25LP256D-RMLE IS25LP512M-RMLE-TR IS25WP080D-JNLE IS25WQ040-JNLE-TR AO4803A AOL1412 DSPIC33EP16GS504-I/PT