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东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是nvm，其记录速度也非常快。
intel是上个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256k bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里，intel发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合eprom和eeprom两项技术，并拥有一个sram接口。
种闪存称为nand闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是nor闪存的理想替代者。nand闪存的写周期比nor闪存短90 ，它的保存与删除处理的速度也相对较快。nand的存储单元只有nor的一半，在更小的存储空间中nand获得了的性能。鉴于nand的表现，它常常被应用于诸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存储卡上。
nand 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， nand 的存储块大小为 8 到 32kb ），这种结构大的点在于容量可以做得很大，超过 512mb 容量的 nand 产品相当普遍， nand 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
nand 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 i/o 端口只有 8 个，比 nor 要少多了。这区区 8 个 i/o 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 nor 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 nand 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，性较 nor 闪存要差。

 

三星与台积电并列为两大芯片代工厂，但是却总是稍逊台积电。2015年苹果iphone 6s系列，为了提高新品产能，同时使用了三星14nm和台积电16nm工艺代工，然而台积电出产的芯片性能稳定，三星的芯片却两 分化，部分芯片性能、发热均表现，另一些芯片则出现了发热翻车的现象。后来苹果芯片的代工订单基本都交给了台积电，三星则与高通签订了多年合作协议。3nm是芯片工艺的新节点，比5nm、4nm更为重要，三星早前已经开始布局，抢在台积电之前，展出了成品。回收MICRON/美光隔离恒温电源IC 回收瑞萨封装QFN进口芯片回收LINEAR原装整盘IC 回收瑞昱进口芯片回收HOLTEK合泰车充降压IC 回收maxim/美信微控制器芯片回收艾瓦特降压恒温芯片回收NS驱动IC 回收韦克威网口IC芯片回收TAIYO/太诱MOS管场效应管回收东芝音频IC 回收飞思卡尔车充降压IC 回收ST意法MOS管回收WINBOND华邦升压IC 回收VISHAY驱动IC 回收亿盟微aurix芯片回收TAIYO/太诱手机存储芯片回收LINEAR计算机芯片回收矽力杰封装SOP20芯片回收丽晶微稳压器IC 回收idt隔离恒温电源IC 回收鑫华微创稳压管理IC 回收威世微控制器芯片回收瑞萨触摸传感器芯片回收罗姆MOS管场效应管回收ROHM计算机芯片回收ROHM收音IC 回收韦克威原装整盘IC 回收iwatte/dialog稳压器IC