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其实手机作为一种电子产品，在有手机零配件进行更换的前提下，都是有可能进行 的。所以，当某一款手机，在市面上已经找不到对应的零配件进行维修，这个时候，才是这款手机 寿命结束。这些寿命结束的手机，将会进行拆解，成对应的零配件和材料。进行回收加工。台州报废芯片回收
利用的，比如说手机的主板、液晶显示屏、闪存、电池、听筒、话筒、喇叭、振动组件、麦克风、扬声器等一切所有可以元件，整体拆分完，都可以带来20-30元的微薄利润”。其中手机里面的主板、芯片是钱的，这些东西几乎就是你买手机时一半的价格，可想而知他们的利润是相当高的。项目：旧手机回费，种说手机消费者！三、回收对于这个途径，其实
我曾经在网上看到苹果自己的手机拆解机器人，可以快速的把手机上的零件进行拆解，回收有价值的零件和材料。对比起来，我们的回收仅仅是芯片回收和电路板溶解这样的简单粗暴。我也希望我们也能机进行科学的拆解回收，实现 意思上的回收利用。

 

随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  L78M05CDT-TR LF33ABDT-TR SM2T3V3A STBP120AVDK6F LF33CDT-TR DA112S1RL HSP061-4M10 M95160-WMN6TP VN7050AJTR LSM6DS3TR STLM20DD9F LM317D2T-TR STL8N6F7 ESDA6V1SC6 M24LR04E-RMN6T/2 LF120CDT-TR M24LR04E-RDW6T/2 ST1S32PUR VN7016AJTR STM6510SCACDG6F LM135 MUN5211T1G M24C02-FDW6TP TS3431ILT FDV303 STX616-AP ESDA14V2L ULN2003D1013TR ST25DV04K-IER6T3 LM393PT HSP061-2M6 STM809TWX6F STM809SWX6F STPS140A LD2981ABM50TR LF347DT LMV822IDT STD7NM80 SM6T200A MC33078DT LM335DT LF253DT