25小时在线 158-8973同步7035 可微可电 10多部工程车同时启动鸣笛， 吹响了开工建设的“号角”。昨日上午10点，环东海域新城2019年季度项目集中开工仪式在厦门信和达元器件智能物流 项目现场(同安区通福路与美溪道交叉路口西南侧)举行。
仪式上，环东海域新城指挥部常驻副总指挥吴志坚发言并项目集中开工，随后施工单位启动施工机械并组织施工人员入场。
信和达元器件智能物流 项目位于同安区环东海域新城的位置。项目占地面积57096平方米，总建筑面积151898.76平方米(含自动化立体仓库、通用仓库、办公大楼等)，预计总投资约6亿元，2019年计划投资2.7亿元，目前该项目已完成场平。
，该项目建成后将成为大的电子元器件智能化综合物流 ，为厦门本地的集成电路等电子制造行业的发展提供有力的供应链保障，能够为同安区引进 电子行业企业，打造东南沿海电子元器件集散地。
，环东海域新城2019年季度计划新开工项目18个，总投资约78.93亿元，年度计划投资12.72亿元。主要包括产业项目、基础设施项目和教育项目3个类型。其中，产业项目2个，年度计划完成投资3.5亿元;基础设施项目13个，年度计划完成投资5.83亿元;社会民生项目3个，年度计划完成投资3.39亿元。具体项目有:厦门信和达元器件智能物流 项目;华强方特产业基地三期;厦门双十中学翔安校区高中部;厦门市档案馆及城建档案馆技术业务用房;滨海旅游浪漫线二期景观工程(翔安段);滨海旅游浪漫线三期工程等。
其中，的厦门双十中学翔安校区高中部项目总用地面积74890平方米，总建筑面积77803平方米，主要建设内容有:教学楼、实验楼综合楼、行政公共综合楼、学生宿舍、食堂、合班教室、多功能厅、地下室及室外跑道、篮球场、排球场、校内道路、绿化等配套工程，该项目预计于2020年建成。
随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  AD9353BCPZ-REEL LB1836ML-TLM-E PGA116AIPWR M81736FP AO4566 AON6560 ADBS-A320 SN74CBT3125PWR STF16N65M2 LM337LMX/NOPB 853S111BYILFT L3GD20HTR W25X40VNIG TLV71333PQDBVRQ1 TXS0102YZPR 88EM8183B2-SAE2C000TAL04 LP5912-2.8DRVR TL431IPK TLV62569DBVR BQ24123RHLR SD8585STR TPS562209DDCR TPS51200DRCT TPS54061QDRBTQ1 TPS22810DBVR