25小时在线 158-8973同步7035 可微可电 1）1001说的是1010^2=1k，1002说的是1010^3=10k，1502说的是1510^3=15k，以此类推， 2）除了用四位数说±1 精度的贴片电阻以外，还有用划线的方法，来说±1 精度的，比如：103说的就是10k ±1 精度的贴片电阻，562说的就是5.6k ±1 精度的贴片电阻那么，上面是丝印的一种直接读数的方法，除此之外，还有另一种丝印代码的方法：e-96代码的丝印标识方法，它的精度也是±1 ，关于这种丝印的代码标识，它有自己的一套计算公式，大家可以去查表，不用刻意的去记住它。这样的标识方法也有它的相关标准的，作为电子来说，只需要认识它了解它即可。因为知识是学不完的，不需知道怎么去研究具体怎么来的，那是厂家、标准会去思考的事情。封装、精度与价格之间的关系对于电子来说，一定要知道元器件的大概价格，如果你设计出来的产品成本，即使再秀再的板子，那么在市场上没有竞争力，也是没有实际价值的。那么，可能有的毕业的，和采购之间相互推诿，认为这是采购的事，价格的事由采购来谈。其实，这中间的责任没有那么的明确的，有时候需要相互沟通、相互协调，等你的产品进入批量生产的时候，采购部有他们自己的指标，会和供应商沟通来压缩元器件的价格和交期的。那么一般情况下，封装越大，价格越高。这其中还有特殊的合金贴片电阻，也会根据材料的不同，价格也有所不同，合金贴片电阻相对普通的碳膜贴片电阻贵一些。还有就是，一般情况下，精度越高，价格越高。还需要说明的是，在特殊情况下，即使±5 精度的阻值，它的价格也可能比±1 精度的电阻价格高，这是因为该电阻阻值不是标称值。  处理器（cpu）、绘图芯片（gpu）运算效能随摩尔定律而飞快进展，加上云端运算、网际网路行动化浪潮下，持续驱动动态存储器（dynamic ram；dram）的规格进化。从非同步的dip、edo dram，到迈向同步时脉操作的sdram开始，以及讯号上下缘触发的ddr/ddr2/ddr3/ddr4存储器，甚至导入20 与新型态的wide i/o介面以降低讯号脚位数与整体功耗。  处理器速度与云端运算持续驱动动态存储器规格的演变，从dip、edo、sdram到ddr/ddr2/ddr3/ddr4。samsung/micron/intel CY7C1650KV18-450BZC CY7C1415KV18-300BZXC CY7C1418KV18-250BZXC CY7C1520V18-200BZC TLC6C598QPWRQ1 VND7140AJTR AUIRS2191STR L9347LF-TR VNH7013XPTR-E TLE9180D-31QK TLD2331-3EP A4916KJPTR-T S9KEAZN16AMLC MMPF0100F0ANES MMPF0100F0AEP MC13892DJVL SPC560P44L3CEFAR SPC5743PK1AMLQ5R SPC560P50L3CEFAR IS45S32200L-7BLA2 VNN7NV04PTR-E VN5E025AJTR-E NCV2902DTBR2G