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在一些非挥发性存储器如相变存储器（phase-change memory；pcm）、磁阻存储器（ resistive memory；m-ram）、电阻存储器（resistive memory；rram）等技术已蓄势待发、即将迈向商业量产门槛之际，ddr4将可能是末代的ddr存储器，届时电脑与软体结构将会出现 为剧烈的变动。  nand flash逼近制程物理以提升容量密度  以浮闸式（floating gate）半导体电路所设计的nand flash非挥发性存储器，随着flash制程技术不断进化、单位容量成本不断下降的情况下，已经在智慧手机、嵌入式装置与工控应用上大量普及。  TMP82C265BF-10 VSC7395XYV BD45285G-TR FDS8978 S1D13305F00B200 MC74LCX16373DTR2 CY2304SXC-1T BR9020F-WE2 AD5227BUJZ10-RL7 PCD50923H/C96 TPS40140RHHR B39741-B8566-P810 NM93C46M8X PCA9540BDP HAT2153RJ-EL-E CEG231G95ECB100RB5 W83L604G CY7C68014A-56LFXC APN337S3959 MC74LCX244DTR2G 74AHC1G04GW CD4556BE MC3450P M37451E8FP EPM3064ATC100-10