25小时在线 158-8973同步7035 可微可电所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,nand发生的次数要比nor多),一个比特位会发生反转或被反转了。
一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是有问题,多读几次就可能解决了。
当然,如果这个位真的改变了,就 采用错误探测/错误更正(edc/ecc)算法。位反转的问题 见于nand闪存,nand的供应商建议使用nand闪存的时候,同时使用edc/ecc算法。
这个问题对于用nand存储多媒体时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他时, 使用edc/ecc系统以性。
坏块处理
nand器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,不划算。
nand器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。
软件支持
当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高的用于磁盘和闪存管理算法的软件,包括性能化。
在nor器件上运行代码不需要的软件支持,在nand器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(mtd),nand和nor器件在进行写入和擦除操作时都需要mtd。
使用nor器件时所需要的mtd要相对少一些,许多厂商都提供用于nor器件的更软件,这其中包括m-system的trueffs驱动,该驱动被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等厂商所采用。
 随着nand flash制程进步与线路宽度与间距的微缩，连带影响到抹写次数（p/e cycles）的缩减。slc存储器从3x 制程的100，000次p/e cycles、4个ecc bit到2x 制程降为60，000 p/e、ecc 24bit。mlc从早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程时已降为3，000 p/e、24~40个ecc bit。  有厂商提出，eslc、islc的存储器解决方案，以运用既有的低成本的mlc存储器，在单一细胞电路单元使用slc读写技术（只储存单一位元的电荷值），抹写度提升到30，000次p/e，成本虽比mlc高，但远于slc，可应用在ipc／kiosk／pos系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。 TSV358IDT LM2904PT LMV324IPT LM339PT TS861ILT LM324PT LMV358LIDT LM358ADT MAX2659ELT+T LM158DT LM311DT LMV324LIDT LM319DT LM2904WYDT LM219DT LM833DT LM258QT LM2903YPT LM2903WYDT LF351DT TS27L2CDT LM358PT LM358ST TL074IDT STD7NM80 LD1086DTTR STP7NK40Z