25小时在线 158-8973同步7035 可微可电

当今的算法主要是软硬件算法两大路径：使用cpu来驱动算法，虽然部署简便，但由于cpu发展面临瓶颈，时延难以突破，因此缺乏市场竞争力，硬件算法方式需要开发商基于it系统进行设计和架构，虽然因一定程度解决时延问题具备较强的竞争力，但成本高且交付周期长，潜在风险大；而从软件算法转换成硬件方式，门槛则非常高。
如何困扰当今众多厂商面临的这些挑战、帮助客户无需硬件开发就可以达到微秒级的低时延要求？
赛灵思推出的 alveo smartnic sn1000加速卡就是这样一个开箱即用的加速算法解决方案。
2×100gb的alveo sn1000是业界硬件可组合式smartnic，符合数据 封装的尺寸需求，而功耗仅为75瓦。sn1000采用16核nxp arm soc构建，ultrascale+ fpga架构、arm的子系统以及可编程的viits networking等特性，可满足市场不断变化的需求。
由于预行了硬件加速，sn1000 smartnic稍加配置即可对远程存储、nvme或其他流量以及安和防火墙进行加速，实现了开箱即用、即插即用，同时维持相关性能不变。
sn1000 的另一个特性是，可以非常方便地移除预制某些功能，然后基于其统一软件平台vitis新打造的vitis networking，使用类似p4这样的语言对数据面进行编程，也可以使用c和c++的语言对于arm进行控制和流量的管理，满足客户自认为非常重要的应用领域。无论是配置还是加速，均可由赛灵思或客户来实现，亦可由客户的客户或 的软件和ip合作伙伴来实现。这体现了赛灵思所提供的的可编程的灵。

 

在一些非挥发性存储器如相变存储器（phase-change memory；pcm）、磁阻存储器（ resistive memory；m-ram）、电阻存储器（resistive memory；rram）等技术已蓄势待发、即将迈向商业量产门槛之际，ddr4将可能是末代的ddr存储器，届时电脑与软体结构将会出现 为剧烈的变动。  nand flash逼近制程物理以提升容量密度  以浮闸式（floating gate）半导体电路所设计的nand flash非挥发性存储器，随着flash制程技术不断进化、单位容量成本不断下降的情况下，已经在智慧手机、嵌入式装置与工控应用上大量普及。  LM4120AIM5X-3.3 PTVS11VS1UR IP4292CZ10 LM4050AEM3-2.5 LM4121IM5-1.2 PMBT6428 NX3020NAKT LM4040DIM3-2.5 BQ24090DGQR VIPER22A TLV431BQDBZR TPS62200DBVR MAX6006BEUR+T MIC4684YM TPS3705-33DGNR TPS2051CDBVR TPS76330DBVR TPS73033DBVR TL431BIDBZR TLV62565DBVR NCP3218GMNR2G LM4040CIM3-5.0 TL431AIDBVR TLV431ACDBVR TLV431ACDBZR LM809M3-2.93