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东芝（toshiba）以2009年开发的bics—3d nand flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路，东芝与新帝（sandisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年q3完工，q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光（micron）、英特尔（intel）阵营，也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ，计划于2014年q2送样测试，快于年底量产。  由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。  TLV803SDBZR TPS3808G01DBVR TPS563201DDCR TLV70233DBVR TLV70233DBVR MP24894GJ-Z OPA333AIDCKR INA199A3DCKR LM2904VQDRQ1 LM258ADR LM224ADR TLV3011AIDCKT TS27M4CDT NCV20072DR2G TPS79625DCQR TPS79601DCQR REG1117A-2.5 UPC24M06AHF-AZ ADP3339AKCZ-3-RL7 LM2937IMPX-12/NOPB TPS64203DBVT TL1963A-18DCQR INA2180A1IDGKR TLV62569PDDCR TPS2546RTER ACFM-2113-TR1 TPS79901QDRVRQ1 MP1601CGTF-Z MP1658GTF-Z MP1662GTF-Z TCA9535RTWR TXS0108ERGYR BQ25619RTWR DRV8835DSSR TPS54335ADDAR