25小时在线 158-8973同步7035 可微可电

it之家获悉，小米卢伟冰此前也说，目前智能手机的芯片是 度短缺的。高通即将上任的 ceo cristiano amon 说，目前芯片供大于求的状况原因之一的美国对华为的，导致手机厂商不得不选择高通等公司的芯片。
除了手机 soc 这种高附加值芯片，目前电阻、电容、二 管等基础元器件也面临着不同程度的涨价，进一步提高了厂商的压力。

 

在一些非挥发性存储器如相变存储器（phase-change memory；pcm）、磁阻存储器（ resistive memory；m-ram）、电阻存储器（resistive memory；rram）等技术已蓄势待发、即将迈向商业量产门槛之际，ddr4将可能是末代的ddr存储器，届时电脑与软体结构将会出现 为剧烈的变动。  nand flash逼近制程物理以提升容量密度  以浮闸式（floating gate）半导体电路所设计的nand flash非挥发性存储器，随着flash制程技术不断进化、单位容量成本不断下降的情况下，已经在智慧手机、嵌入式装置与工控应用上大量普及。  LTC2629CGN-1#TRPBF GLH170SR2C8 LM75AIMX/NOPB SN74AHC1G09DBVR TCA4311ADGKR IR3555MTRPBF FDPC5018SG P06P03LCG NCP81203MNTXG MAX3221 9ZX21901BKLFT 2EC2843-A0B22-7H LMV321SQ3T2G PCA9617ADP LCMXO256C-3MN100C SN74LVC2G17DCKRG4 IR35204MTRPBF NCT7717U RT7296FGJ8F MG9098-003 TLC2932IPW RLF7030T-4R7M3R4-P