25小时在线 158-8973同步7035 可微可电所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,nand发生的次数要比nor多),一个比特位会发生反转或被反转了。
一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是有问题,多读几次就可能解决了。
当然,如果这个位真的改变了,就 采用错误探测/错误更正(edc/ecc)算法。位反转的问题 见于nand闪存,nand的供应商建议使用nand闪存的时候,同时使用edc/ecc算法。
这个问题对于用nand存储多媒体时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他时, 使用edc/ecc系统以性。
坏块处理
nand器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,不划算。
nand器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。
软件支持
当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高的用于磁盘和闪存管理算法的软件,包括性能化。
在nor器件上运行代码不需要的软件支持,在nand器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(mtd),nand和nor器件在进行写入和擦除操作时都需要mtd。
使用nor器件时所需要的mtd要相对少一些,许多厂商都提供用于nor器件的更软件,这其中包括m-system的trueffs驱动,该驱动被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等厂商所采用。
ddr4以前瞻性的高传输速率、v- 低功耗与更大记忆容量，在2014年下半将导入英特尔工作站／伺服器以及桌上型电脑平台，并与lp-ddr3存储器将同时存在一段时间；至于nand flash快闪存储器也跨入1x 制程，mlc将以islc/eslc自砍容量一半的方式，提升可抹写次数（program erase；p/e）来抢占要求耐受度的军方与工控市场，而c/p值高的tlc从随碟、记忆卡的应用导向低端ssd…   ddr4伺服器先行 2016ddr3成为主流STM32F756VGT6 STM32F765IIT6 STM32F765NIH7 STM32F778AIY6TR STM32L011D4P6 STM32L011E4Y6TR STM32L011F3P6TR STM32L011G4U6 STM32L011K4U6 STM32L031F6P6TR STM32L052C8T7 STM32L0538-DISCO STM32L073VBT6 STM32L100C6U6 STM32L100R8T6 STM32L100RCT6 STM32L151C6T6TR LM393PT LMV822IDT MC33078DT LF253DT LMV358IDT LM2903PT