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东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是nvm，其记录速度也非常快。
intel是上个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256k bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里，intel发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合eprom和eeprom两项技术，并拥有一个sram接口。
种闪存称为nand闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是nor闪存的理想替代者。nand闪存的写周期比nor闪存短90 ，它的保存与删除处理的速度也相对较快。nand的存储单元只有nor的一半，在更小的存储空间中nand获得了的性能。鉴于nand的表现，它常常被应用于诸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存储卡上。
nand 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， nand 的存储块大小为 8 到 32kb ），这种结构大的点在于容量可以做得很大，超过 512mb 容量的 nand 产品相当普遍， nand 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
nand 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 i/o 端口只有 8 个，比 nor 要少多了。这区区 8 个 i/o 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 nor 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 nand 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，性较 nor 闪存要差。

 

flash和eeprom的大区别是flash按扇区操作，eeprom则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，flash的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比eeprom低，因而适合用作程序存储器，eeprom则 的用作非易失的数据存储器。当然用flash做数据存储器也行，但操作比eeprom麻烦的多，所以更“人性化”的mcu设计会集成flash和eeprom两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有flash，早期可电擦写型mcu则都是eeprm结构，现在已基本上停产了。现在的单片机,ram主要是做运行时数据存储器,flash主要是程序存储器,eeprom主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 1、ram rom和ram指的都是半导体存储器，rom是read only memory的缩写，ram是random access memory的缩写。rom在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而ram通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的ram就是计算机的内存。 sram和dram区别ram有两大类：TAS3004PFBR TL5002CDR TPS74801DRCR TPS74801TDRCRQ1 ISL6443IRZ-TK MAX8510EXK28+T MOT3054 SI3010-F-FS DP83901AV DS14C238WM DS14C238WMX ADM202EARNZ-REEL7 AM26C32CNS NC7SZ08M5X NC7SZ126M5X NC7SP57P6X NC7WZ17P6X CLVC1G374QDCKRQ1 TL594CD TXS0101DCKR TIR1000PWR AT24C256W ASM1543 TPS715A33DRVR TLV7113030DDSER MP9495DJ-LF-Z