佛山回收SGMICRO圣邦微驱动IC
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电 6:电容的识别(1)、贴片电容有:贴片钽电容、贴片瓷片容、 纸多层贴片电容、贴片电解电容。贴片瓷片电容:体积小，无 性，无丝印。基本单位pf纸多层贴片电容:与贴片瓷片电容基本相同，材质纸质。基本单位 为pf,但此电容容量一般在uf级。
贴片电解电容:丝印印有容量、耐压和 性标示。其基本单位为f。
7:电感元件的识别常见贴片元件尺寸规范介绍
在贴片元件的尺寸上为了让所有厂家生产的元件之间有 的通用性，上各大厂家进行了尺寸要求的规范工作，形成了相应的尺寸系列。其中在不同采用不同的单位基准主要有公制和英制，对应关系如下表:
注:1)此处的0201表0.02x0.01inch,其他相同;
2)在材料中还有其它尺寸规格例如:0202 、0303、0504、1808、1812、2211、2220等等，但是在实际使用中使用范围并不广泛所以不做介绍。
3)对于实际应用中各种对尺寸的称呼有所不同，一般情况下使用英制单位称呼为多，例如一般我们在工作中会说用的是0603的电容，也有时使用公制单位例如说用1608的电容此时使用的就是公制单位 。
5东芝（toshiba）以2009年开发的bics—3d nand flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路，东芝与新帝（sandisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年q3完工，q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光（micron）、英特尔（intel）阵营，也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ，计划于2014年q2送样测试，快于年底量产。 由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。 TLV803SDBZR TPS3808G01DBVR TPS563201DDCR TLV70233DBVR TLV70233DBVR MP24894GJ-Z OPA333AIDCKR INA199A3DCKR LM2904VQDRQ1 LM258ADR LM224ADR TLV3011AIDCKT TS27M4CDT NCV20072DR2G TPS79625DCQR TPS79601DCQR REG1117A-2.5 UPC24M06AHF-AZ ADP3339AKCZ-3-RL7 LM2937IMPX-12/NOPB TPS64203DBVT TL1963A-18DCQR INA2180A1IDGKR TLV62569PDDCR TPS2546RTER ACFM-2113-TR1 TPS79901QDRVRQ1 MP1601CGTF-Z MP1658GTF-Z MP1662GTF-Z TCA9535RTWR TXS0108ERGYR BQ25619RTWR DRV8835DSSR TPS54335ADDAR
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注:1)此处的0201表0.02x0.01inch,其他相同;
2)在材料中还有其它尺寸规格例如:0202 、0303、0504、1808、1812、2211、2220等等，但是在实际使用中使用范围并不广泛所以不做介绍。
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