25小时在线 158-8973同步7035 可微可电美国未禁令之前，的芯片市场都处于一个稳定的状态，所有企业都各司其职，虽然相互之间也有竞争，但依旧保持着密切的合作关系，因此芯片在设计、销售等环节开始形成 完整的产业链，可惜这种良性发展的局面在禁令后就被了。
受影响莫过于华为，毕竟美国芯片就是为了华为，因此导致不少代工厂商不得不中断与华为合作，众所周知，华为海思虽然拥有的芯片设计能力，但在芯片制造方面并没有涉足，因此才引发后面一系列问题。
除了华为，美国企业也损失惨重，在禁令生效后，整个芯片产业损失千亿，要知道，美国作为大芯片出口国，一旦芯片卖不出去，将会影响到本土芯片制造商，虽然了华为发展，但美国此举无疑是杀敌一千自损八百。
此外，芯片禁令也让整个半导体市场出现缺货问题，可见此做法带来的影响有多大，据外媒，美企高通做出回应，由于订单太多，为了应对供货压力，将选择延长供货周期。
据高通内部人员透露，短期内将解决不了缺芯问题，可见缺芯问题有多严峻，导致高通需要延长订单交付周期来喘口气，不仅是高通，其他芯片厂商也有同样的问题可见这次缺芯将会带来多大的影响。
在高通表态后，难受的无疑是小米、ov等国内手机厂商，毕竟他们对高通芯片的依赖性很深，再加上自身不会设计或生产芯片，如今高通芯片出现产能不足，这影响了手机产能，不过也没有办法，小米、ov等企业只能等待高通的下一步行动。
随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  OPA4197IPWR TPS23861PWR TLC59116IRHBR LM217MDT-TR TDA7377 M24C64-FMC6TG M95010-WMN6TP L78M08ABDT-TR L7812ABV LM2901YDT L78L12ABD-TR LF33CV SM2T3V3A STBP120AVDK6F LF33CDT-TR DA112S1RL HSP061-4M10 M95160-WMN6TP VN7050AJTR