25小时在线 158-8973同步7035 可微可电

中芯发布公告称，公司就购买用于生产晶圆的阿斯麦产品与阿斯麦集团签订购买单，根据阿斯麦购买单购买的阿斯麦产品定价，阿斯麦购买单的总代价为 1201590 美元。这部分主要为 duv 光刻机。
今日，据财联社，透露，中芯正在努力重新获得订单，是其 14nm finfet 工艺订单。(it之家注：finfet 工艺是指鳍式场效应晶体管工艺，该工艺可大幅电路控制并减少漏电流，还可以大幅晶体管的栅长。)it之家了解到，3 月 10 日，据选股宝，从供应链获悉，中芯 14nm 制程工艺产品良率已追平台积电同等工艺，水准达约 90 -95 。目前，中芯各制程产能满载，部分成熟工艺订单已排至 2022 年。
据中芯介绍，中芯是的集成电路晶圆代工企业之一，也是内地技术，配套完善，规模大，跨国经营的集成电路制造企业。
中芯在上海建有一座 300mm 晶圆厂，一座 200mm 晶圆厂和一座实际控股的 300mm 设备制程晶圆合资厂;在北京建有一座 300mm 晶圆厂和一座控股的 300mm 晶圆厂;在天津和深圳各建有一座 200mm 晶圆厂;在江阴有一座控股的 300mm 合资厂。

 

ddr4较以往不同的是改采vddq的终端电阻设计，v- 目前计划中的传输速率进展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133传输速率快了50 ，将来不排除直达4，266mbps；bank数也大幅增加到16个（x4/x8）或8个（x16/32），这使得采x8设计的单一ddr4存储器模组，容量就可达到16gb容量。  而ddr4运作电压仅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v还低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v还要低，再加上ddr4一次支援 省电技术（deep power down），进入休眠模式时无须更新存储器，或仅直接更新dimm上的单一存储器颗粒，减少35 ~50 的待机功耗。  EPF8636ARC208-3 SN74LS373NSR M25P32-VMW6TG MC74HC00ADTR2 W25Q80BWBYIG BC212015BQN-E4 MT47H32M16BN-3:D M5M51008CFP-55H K6R4008C1C-JC15 MC10105L N80C186XL12 TL497ACNS MT46V32M16BN-6:F EPM7032LC44-15 EPM7096LC68-7 EPM7032LC44-7 IDT7201LA50TP M27C1001-15F1 TE28F640J3C120 TD62597AFNG BD6171KV-E2 R1LV0408DSA-7LI IDGKM101 INA201AIDGKR INA156EA ALP514SF ADS8864IDGS ADS7818E ADS7835E ADS8860IDGSR SA575DTBR2G INA337AIDGKR LM2902KVQPWRQ1 LM358DGKR VCA820IDGSR UCC38C42DGK XTR117AIDGKR TAS5709AGPHPR R5F213J5CNNP RTS5821T-GR SA2400ABE SI4838DY-T1-E3