武汉回收CHIPLINK芯联功放管
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采用flash介质时一个需要 考虑的问题是性。对于需要扩展mtbf的系统来说,flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的性。
性
在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次,而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势,典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍,每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要i/o接口,nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。
在使用nand器件时, 先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向nand器件写入需要相当的技巧,,这就意味着在nand器件上自始至终都 进行虚拟映射。
其他作用
驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
在某些情况下(很少见，nand发生的次数要比nor多)，一个比特(bit)位会发生反转或被反转了。位反转的问题 见于nand闪存，nand的供应商建议使用nand闪存的时候，同时使用edc/ecc算法。这个问题对于用nand存储多媒体时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他时， 使用edc/ecc系统以性。 NCV8402ADDR2G VNH7013XPTR-E SKA-TC237LP-32F200NAC MMPF0100F0ANES TLD2331-3EP SPC560P50L3CEFAR NCV2902DTBR2G S9S12GN32BMLCR SAK-XC2365A-104F80LRAB IS45S32200L-7BLA2 ISO7741QDWRQ1 MC13892DJVL MC80F0808DP FMS6363ACSX R5S72623P144FPU LM5164DDAR SY6288CAAC AK4125VF MAX4390EUK-T MIC49300WR NCP3121MNTXG LMC7215IM5/NOPB APM32F030C8T6
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