25小时在线 158-8973同步7035 可微可电

采用flash介质时一个需要 考虑的问题是性。对于需要扩展mtbf的系统来说,flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的性。
性
在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次,而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势,典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍,每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要i/o接口,nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。
在使用nand器件时, 先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向nand器件写入需要相当的技巧,,这就意味着在nand器件上自始至终都 进行虚拟映射。
其他作用
驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

 

端口输入数据寄存器(gpiox_idr) 端口输出数据寄存器(gpiox_odr) 其中crl 控制高8位的 io crh 低8这两个实质是一样的。对照我们avr来看gpiox_crl就相当于ddrx ,gpiox_odr就相当于portx,gpiox_odr就相当于pinxstm32的 io 口可以由 口可以由 软件配置成 软件配置成 软件配置成 8种模式: 种模式: stm32单片机TLV74212PDQNR LMZ20501SILR OPA192IDBVR TLV70018DSET TLV73311PQDBVRQ1 TLV73315PQDBVRQ1 TPS259573DSGR TLV74212PDQNR LMZ20501SILR OPA192IDBVR TLV70018DSET TLV73311PQDBVRQ1 TLV73315PQDBVRQ1 TPS7B6925QDCYRQ1 SN74LVC1G175DCKR TPS2051BDBVR TPS65987DDHRSHR LMR16006YQ3DDCTQ1 TLV1701QDBVRQ1 SN74LVC2G14DCKR TPS3823-33DBVR LM3478QMM/NOPB SN3257QPWRQ1