25小时在线 158-8973同步7035 可微可电回收pixelplus派视尔芯片、回收sunplus凌阳芯片、回收nextchip芯片、回收soinc晶相芯片、回收richtek立锜芯片、回收simcon芯讯通芯片、回收jorjin佐臻芯片、回收generalplus凌通芯片、回收dialog戴乐格芯片、回收nordic芯片、回收nxp恩智浦芯片、回收bosch博世芯片、回收st意法芯片、回收infineon英飞凌芯片、回收jrc芯片、回收sony索尼芯片、回收toshiba东芝芯片等 随着nand flash制程进步与线路宽度与间距的微缩，连带影响到抹写次数（p/e cycles）的缩减。slc存储器从3x 制程的100，000次p/e cycles、4个ecc bit到2x 制程降为60，000 p/e、ecc 24bit。mlc从早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程时已降为3，000 p/e、24~40个ecc bit。  有厂商提出，eslc、islc的存储器解决方案，以运用既有的低成本的mlc存储器，在单一细胞电路单元使用slc读写技术（只储存单一位元的电荷值），抹写度提升到30，000次p/e，成本虽比mlc高，但远于slc，可应用在ipc／kiosk／pos系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。 TPS74801QRGWRQ1 TPIC44L01DBR TLE42754G NCV47821PAAJR2G TPS745125PQWDRBRQ1 S9S12GN32BMLCR S9S12G192F0CLL LM324IYPT BUK9K35-60E S9S12G192F0CLL TPS40210QDGQRQ1 TPS74801QRGWRQ1 BZX384-C6V2 S912XDP512JMAL A4935KJPT-T TLE42754G SPC5743PK1AMLQ5R UCC28C41QDRQ1 NCV47821PAAJR2G MCIMX6D6AVT08AD SPC560P44L3CEFAR AONR34332C DMP4015SK3Q PESD1CAN.125 S9S12G64AMLF