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东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是nvm，其记录速度也非常快。
intel是上个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256k bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里，intel发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合eprom和eeprom两项技术，并拥有一个sram接口。
种闪存称为nand闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是nor闪存的理想替代者。nand闪存的写周期比nor闪存短90 ，它的保存与删除处理的速度也相对较快。nand的存储单元只有nor的一半，在更小的存储空间中nand获得了的性能。鉴于nand的表现，它常常被应用于诸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存储卡上。
nand 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， nand 的存储块大小为 8 到 32kb ），这种结构大的点在于容量可以做得很大，超过 512mb 容量的 nand 产品相当普遍， nand 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
nand 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 i/o 端口只有 8 个，比 nor 要少多了。这区区 8 个 i/o 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 nor 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 nand 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，性较 nor 闪存要差。

 

ddr4以前瞻性的高传输速率、v- 低功耗与更大记忆容量，在2014年下半将导入英特尔工作站／伺服器以及桌上型电脑平台，并与lp-ddr3存储器将同时存在一段时间；至于nand flash快闪存储器也跨入1x 制程，mlc将以islc/eslc自砍容量一半的方式，提升可抹写次数（program erase；p/e）来抢占要求耐受度的军方与工控市场，而c/p值高的tlc从随碟、记忆卡的应用导向低端ssd…   ddr4伺服器先行 2016ddr3成为主流回收beiling驱动IC 回收NXP进口新年份芯片回收尚途sunto发动机管理芯片回收中芯触摸传感器芯片回收IR传感器芯片回收瑞萨手机存储芯片回收海旭MOS管场效应管回收东芝SOP封装IC 回收飞利浦计算机芯片回收VISHAY稳压管理IC 回收ONSOP封装IC 回收海旭汽车主控芯片回收飞思卡尔ADAS处理器芯片回收toshiba进口芯片回收semtechMOS管场效应管回收ncs降压恒温芯片回收RENESAS计算机芯片回收intel封装TO-220三极管回收凌特网卡芯片回收Xilinx进口芯片回收INTERSIL发动机管理芯片回收ti德州仪器降压恒温芯片回收丽晶微网卡芯片回收intel计算机芯片回收idtaurix芯片回收silergy蓝牙芯片回收松下进口新年份芯片