重庆回收镁光内存条K9F1G08U0C-PIB0
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25小时在线 158-8973同步7035 可微可电美国英特尔公司和艾亚实验室将teraphy硅基光学输入/输出芯粒集成到现场可编程门阵列中,将光信号传输元件封装至芯片内部,标志着封装内光互连技术取得突破性进展。集成方案是:将teraphy芯粒与现场可编程门阵列“接口数据总线”接口的24个通道相连接,利用“嵌入式多芯片互连桥接”技术将二者封装在一起,构建封装内集成光学元件的多芯片模块。与电互连相比,光互连带宽密度提高1000倍,功耗降低至1/10。该技术有望实现100太比特/秒的数据传输速率,大幅提升封装内芯片间的数据传输能力,满足装备大数据处理需求。
二、darpa三维系统芯片进入产业化阶段
2020年8月,darpa三维系统芯片开始从实验室成果转向产业化。产业化阶段,darpa将在天水公司200毫米晶圆碳基芯片生产线上,应用碳 管晶体管三维系统芯片制造工艺, 改进芯片品质,提升芯片良率,化芯片性能,提高逻辑功能密度。三维系统芯片集逻辑运算、数据存储功能于一身,可实现高带宽数据传输,提高计算性能,降低运行功耗,将大幅加速人工智能算法和计算,对美国巩固势意义重大。
三、美国开发出高灵敏芯片级激光陀螺仪
2020年3月,美国加州理工学院研发出高灵敏度芯片级激光陀螺仪,灵敏度比其他芯片级陀螺仪高数十至上百倍。该陀螺仪碟形布里渊谐振腔由---q值超过1亿的硅基二氧化硅制成,自由光谱谐振值1.808吉赫。测试表明,芯片级激光陀螺仪具有高灵敏、高集成性、高鲁棒性、强抗冲击性等特点,在微型、可穿戴设备及其他---平台上具有广阔应用前景。
四、美国开发出基于忆阻器阵列的三维计算电路
2020年5月,美空军研究实验室与马萨诸塞大---合研发出一种三维计算电路。其由八层忆阻器阵列构成,采用了新的电路架构设计,可直接实现 神经网络功能。八层忆阻器阵列由若干个彼此物理隔离的忆阻器行组构成,每个行组包含八层忆阻器,层与层呈阶梯式交错堆叠搭接,每个忆阻器仅与相邻少量忆阻器共用电 ,减少了相关干扰,大幅 了“潜在通路”效应,有利于实现大规模忆阻器阵列集成。该三维计算电路计算速度和能效大幅提升,为人工神经网络等计算技术,以及神经形态硬件设计提供了新的技术途径。
电源类电子元器件,如电源ic、mos管、电解电容、钽电容、电源成品、igbt模块、ups主控mcu、dsp、电源板等。 家电类电子元器件,如家电ic、mcu、单片机、继电器、电解电容、mos管、ibgt等。 工控类电子元器件,如工控ic、dsp、单片机、硬盘等。 安防类电子元器件,如安防ic、ccd、感光芯片、ov芯片、镁光芯片、及组件、主控等 汽车电子类电子元器件,如mcu、dsp、驱动芯片、单片机、内存flash、液晶屏、wifi模块、收音模块、蓝牙芯片、csr芯片、蓝牙模块等 ADS1246IPWR TS5A4624DCKT TS5A4624DCKR TS5A3157DBVR TS5A3159ADBVT TS5A9411DCKT LMP8645HVMKE/NOPB INA168NA/3K TPS22944DCKR LM2664M6X/NOPB TPS22904YFPT TPS2559DRCR TPS22944DCKR LPC1112FHN33/102 LPC1343FHN33 FSEZ1317MY LMH6643MAX AD7541AKR HEF4013BP ADM213EARSZ LTC7510EUH NCP6336BFCCT1G
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