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采用flash介质时一个需要 考虑的问题是性。对于需要扩展mtbf的系统来说,flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的性。
性
在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次,而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势,典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍,每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要i/o接口,nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。
在使用nand器件时, 先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向nand器件写入需要相当的技巧,,这就意味着在nand器件上自始至终都 进行虚拟映射。
其他作用
驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

 

micron自家市场统计预测指出，从2012到2016年总体nand flash容量应用的年复合成长率可达51 。2013年，美光（micron）与sk hynix两家晶圆厂，先后发表16nm制程的nand flash存储器技术，而东芝（toshiba）则在2014年直接跨入15nm制程，并推出相关nand flash存储器芯片产品。  nand flash传输速率，从2010年onfi 2.0的133mb/s，emmc v4.41的104mb/s；到2011年onfi v2.2/toggle 1.0规格，传输速率提升到200mb/s，emmc v4.5拉高到200mb/s，ufs 1.0传输速率为2.9gbps；2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s，ufs v2.0传输速率倍增为5.8gbps；预估到2015年，onfi v4.x/toggle v2.xx规格定义的传输速率增到800mb/s、1.6gb/s。  TCAN1042HVDR TLE7230R STM32G070CBT6 R5S72643P144FP#UZ WM8772SEDS/RV AK4113VF SM5907AF UPD7225GB-3B7 UPD9281 UPD16316 TDF8541TH/N2 MC74ACT244DTR2G MCP121T-450E/TT MCP1416T-E/OT MCP14E5-E/SN MCP1665T-E/MRA MCP1711T-22I/OT MCP3208-BI/SL MCP3208T-BI/SL SSM3J331R SSM3J334R SSM3K15AFS,LF(T SSM3K324R,LF(T