成都回收南亚闪存内存容量4G×4GB
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电罗姆集团与意法半导体就碳化硅(sic)晶圆长期供货事宜达成协议
半导体制造商罗姆和意法半导体（以下简称“st”），双方就碳化硅（以下简称“sic”）晶圆由罗姆集团旗下的sicrystal gmbh （以下简称“sicrystal”）供应事宜达成长期供货协议。在sic功率元器件快速发展及其需求高速增长的大背景下，双方达成超1.2亿美元的协议，由sicrystal（sic晶圆生产量欧洲）向st（面向众多电子设备提供半导体的性半导体制造商）供应的150mm sic晶圆。
2月小米发布gan充电器65w
小米在2月新品直播发布会上，发布了小米gan充电器type-c 65w，采用氮化，高支持65w疾速充电，搭配小米10 pro可实现50w快充，体积小巧便携。
台积电将与意法半导体合作，加速gan制程技术开发
台积电与意法半导体合作加速市场采用氮化产品。意法半导体预计今年晚些时候将交给客户。台积电与意法半导体将合作加速氮化（gallium nitride, gan）制程技术的开发，并将分离式与整合式氮化元件导入市场。透过此合作，意法半导体将采用台积公司的氮化制程技术来生产其氮化产品。
英飞凌新增650v产品系列，完备硅、碳化硅和氮化3种技术
英飞凌科技（infineon）持续扩展其方位的碳化硅（sic）产品组合，新增650v产品系列。英飞凌新发表的coolsic mosfet能满足广泛应用对于能源效率、功率密度和度不断提升的需求，包括：服务器、电信和工业smps、太阳能系统、能源储存和化成电池、ups、马达驱动以及电动车充电等。英飞凌电源管理与多元电子事业处高压转换部门协理steffen metzger说，推出这项产品后，英飞凌在600v/650v电源领域完备了硅、碳化硅和氮化（gan）型功率半导体产品组合。
英特尔将分别把ddr4规格导入伺服器／工作站平台，以及桌上型电脑平台（high-end desktop；hedt）。前者是伺服器处理器xeon e5-2600处理器（代号haswell-ep），搭配的ddr4存储器为2，133mbps（ddr4-2133）；后者则是预定 三季推出的8intel core i7 extreme edition处理器，同样搭配ddr4-2133存储器，以及支援14组usb 3.0、10组sata6gbps的x99芯片组，成为2014 4季至2015年上半年英特尔的桌上型电脑平台组合。 而超微（amd）下一代apu（代号carrizo）已至2015年登场，但其存储器支援性仍停留在ddr3。至于移动设备部份，安谋（arm）针对伺服器市场打造的64位元cortex-a57处理器，已预留对ddr4存储器支援，而 三方ip供应商也提供了相关的ddr4 phy ip。 三星于2013年底量产20 制程的4gb存储器颗粒，将32gb的存储器推向伺服器市场；2014年1月推出移动设备用的低功耗ddr4（lp-ddr4）。sk海力士在2014年4月借助矽钻孔（tsv）技术，开发出单一ddr4芯片外观、容量达128gb。市场预料ddr4将与ddr3（ddr3l、lp-ddr3）等共存一段时间，预计到2016年才会ddr3而成为市场主流。 VNB35NV04-E VND14NV04TR-E STD15P6F6AG STF11N65M2 STB36NM60N STB33N60DM2 STDS75DS2F STP7N65M2 STP12N60M2 STP220N6F7 STP23NM50N STP7N60M2 STU12N60M2 STW13N60M2 STW20N65M5 STW35N60DM2 STW36NM60ND STW56N60DM2 STW72N60DM2AG STY105NM50N TN1215-600H STB18N65M5 STB24NM60N STB28NM50N
半导体制造商罗姆和意法半导体（以下简称“st”），双方就碳化硅（以下简称“sic”）晶圆由罗姆集团旗下的sicrystal gmbh （以下简称“sicrystal”）供应事宜达成长期供货协议。在sic功率元器件快速发展及其需求高速增长的大背景下，双方达成超1.2亿美元的协议，由sicrystal（sic晶圆生产量欧洲）向st（面向众多电子设备提供半导体的性半导体制造商）供应的150mm sic晶圆。
2月小米发布gan充电器65w
小米在2月新品直播发布会上，发布了小米gan充电器type-c 65w，采用氮化，高支持65w疾速充电，搭配小米10 pro可实现50w快充，体积小巧便携。
台积电将与意法半导体合作，加速gan制程技术开发
台积电与意法半导体合作加速市场采用氮化产品。意法半导体预计今年晚些时候将交给客户。台积电与意法半导体将合作加速氮化（gallium nitride, gan）制程技术的开发，并将分离式与整合式氮化元件导入市场。透过此合作，意法半导体将采用台积公司的氮化制程技术来生产其氮化产品。
英飞凌新增650v产品系列，完备硅、碳化硅和氮化3种技术
英飞凌科技（infineon）持续扩展其方位的碳化硅（sic）产品组合，新增650v产品系列。英飞凌新发表的coolsic mosfet能满足广泛应用对于能源效率、功率密度和度不断提升的需求，包括：服务器、电信和工业smps、太阳能系统、能源储存和化成电池、ups、马达驱动以及电动车充电等。英飞凌电源管理与多元电子事业处高压转换部门协理steffen metzger说，推出这项产品后，英飞凌在600v/650v电源领域完备了硅、碳化硅和氮化（gan）型功率半导体产品组合。
英特尔将分别把ddr4规格导入伺服器／工作站平台，以及桌上型电脑平台（high-end desktop；hedt）。前者是伺服器处理器xeon e5-2600处理器（代号haswell-ep），搭配的ddr4存储器为2，133mbps（ddr4-2133）；后者则是预定 三季推出的8intel core i7 extreme edition处理器，同样搭配ddr4-2133存储器，以及支援14组usb 3.0、10组sata6gbps的x99芯片组，成为2014 4季至2015年上半年英特尔的桌上型电脑平台组合。 而超微（amd）下一代apu（代号carrizo）已至2015年登场，但其存储器支援性仍停留在ddr3。至于移动设备部份，安谋（arm）针对伺服器市场打造的64位元cortex-a57处理器，已预留对ddr4存储器支援，而 三方ip供应商也提供了相关的ddr4 phy ip。 三星于2013年底量产20 制程的4gb存储器颗粒，将32gb的存储器推向伺服器市场；2014年1月推出移动设备用的低功耗ddr4（lp-ddr4）。sk海力士在2014年4月借助矽钻孔（tsv）技术，开发出单一ddr4芯片外观、容量达128gb。市场预料ddr4将与ddr3（ddr3l、lp-ddr3）等共存一段时间，预计到2016年才会ddr3而成为市场主流。 VNB35NV04-E VND14NV04TR-E STD15P6F6AG STF11N65M2 STB36NM60N STB33N60DM2 STDS75DS2F STP7N65M2 STP12N60M2 STP220N6F7 STP23NM50N STP7N60M2 STU12N60M2 STW13N60M2 STW20N65M5 STW35N60DM2 STW36NM60ND STW56N60DM2 STW72N60DM2AG STY105NM50N TN1215-600H STB18N65M5 STB24NM60N STB28NM50N
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